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两端接地屏蔽效果更好，但信号失真会增大。请注意：两层屏蔽应是相互绝缘隔离型屏蔽。如没有彼此绝缘仍应视为单层屏蔽。 外层屏蔽两端接地是由于引入的电位差而感应出电流，因此产生降低源磁场强度的磁通，从而基本上抵消掉没有外屏蔽层时所感应的电压；而 内层屏蔽一端接地，由于没有电位差，仅用于一般防静电感应。下面的 电缆设计规范》——3.6.8控制电缆金属屏蔽的接地方式，应符合下列规定：计算机监控系统的模拟信号回路控制电缆屏蔽层，不得构成两点或多点接地，宜用集中式一点接地。ia-DJFYJP3YA53工厂生产ia-DJFYJP3YA53
简要说明:低烟无卤电缆
详细介绍:
一、用途：该产品阻燃性能优越，燃烧时烟度甚少，无腐蚀性气体逸出，广泛应用于核电站、地铁车站、电话机及计算机控制中心、高层建筑大楼、宾馆、广播电视台、重要事设施、石油等，以及人员较集中，空气密度低的场所。
二、使用特性：
1.阻燃性和不延燃性优异。
2.燃烧时发烟量 甚 少，不产生有气体，不产生腐蚀性气体。
3.具有一定的机械物理与电气性能，能满足电缆的使用要求。
四、型号名称
1．低烟无卤阻燃电力电缆
型号 名称
WLZR－YY 聚乙绝缘低烟无卤阻燃聚烃护套电力电缆
WLZR－YJY 辐照交联聚乙绝缘低烟无卤阻燃聚烃护套电力电缆
WLZR－YWY 低烟无卤阻燃聚烃绝缘低烟无卤阻燃聚烃护套电力电缆
WLZR－YJWY 辐照交联低烟无卤阻燃聚烃绝缘低烟无卤阻燃聚烃护套电力电缆
WLZR－YY23 聚乙绝缘钢带铠装低烟无卤阻燃聚烃护套电力电缆
WLZR－YJY23 辐照交联聚乙绝缘钢带铠带低烟无卤阻燃聚烃护套电力电缆
WLZ－YWY23 低烟无卤阻燃聚烃绝缘钢带铠装低烟无卤阻燃聚烃护套电力电缆
WLZ－YJWY23 辐照交联低烟无卤阻燃聚烃绝缘钢带铠装低烟无卤阻燃聚烃护套电力电缆
ia-DJFYJP3YA53工厂生产ia-DJFYJP3YA53气体隔离法也叫注气保护法，在采用压力变送器对低压力或压力测量时采用。检测点的压力变化由导压管内的空气传感到仪表变送器内，经仪表敏感元件检测得到结果。液体隔离法测量 气、氧化氮气、等介质时，用全氟三丁胺或者其它的隔离液充灌在隔离罐内，将腐蚀介质与检测仪表的金属零部件隔离起来。液体隔离法存在着一些弊端，比如增加液封就会出现液封介质，被测介质可能与液封介质之间发生化学反应，从而出现新的腐蚀问题降低隔离效果。电流型变频器的直流环节采用了电感元件而得名，其优点是具有四象限运行能力，能很方便地实现电机的制动功能。缺点是需要对逆变桥进行强迫换流，装置结构复杂，调整较为困难。另外，由于电网侧采用可控硅移相整流，故输入电流谐波较大，容量大时对电网会有一定的影响。电压型变频器由于在变频器的直流环节采用了电容元件而得名，其特点是不能进行四象限运行，当负载电动机需要制动时，需要另行制动电路。功率较大时，输出还需要增设正弦波滤波器。高电流型变频器它采用GTO，SCR或IGCT元件串联的法实现直接的高压变频，目前电压可达1KV。由于直流环节使用了电感元件，其对电流不够敏感，因此不容易发生过流故障，逆变器工作也很可靠，保护性能良好。其输入侧采用可控硅相控整流，输入电流谐波较大。变频装置容量大时要考虑对电网的污染和对通信电子设备的干扰问题。均压和缓冲电路，技术复杂，成本高。由于器件较多，装置体积大，调整和维修都比较困难。逆变桥采用强迫换流，发热量也比较大，需要解决器件的散热问题。
2．低烟无卤阻燃计算机电缆
型号 名称
WLZR－DJYY(R)P 低烟无卤阻燃聚烃绝缘和护套铜丝编织总屏计算机用屏蔽(软)电缆
WLZR－DJYPY(R) 低烟无卤阻燃聚烃绝缘和护套铜丝编织分屏计算机用屏蔽(软)电缆
WLZR－DJYPY(R)P 低烟无卤阻燃聚烃绝缘和护套铜丝编织分屏总屏计算机用屏蔽(软)电缆
WLZR－DJYY(R)P2 低烟无卤阻燃聚烃绝缘和护套铜带绕包总屏计算机用屏蔽(软)电缆
WLZR－DJYP2Y(R) 低烟无卤阻燃聚烃绝缘和护套铜带绕包分屏计算机用屏蔽(软)电缆
WLZR－DJYP2Y(R)P2 低烟无卤阻燃聚烃绝缘和护套铜带绕包分屏总屏计算机用屏蔽(软)电缆
WLZR－DJYDYD(R)P3 低烟无卤阻燃聚烃绝缘和护套铝塑复合带绕包总屏计算机用屏蔽(软)电缆 WLZR－DJYDP3YD(R) 低烟无卤阻燃聚烃绝缘和护套铝塑复合带绕包分屏计算机用屏蔽(软)电缆 WLZR－DJYDP3YD(R)P3 低烟无卤阻燃聚烃绝缘和护套铝塑复合带绕包分屏总屏计算机用屏蔽
ia-DJFYJP3YA53工厂生产ia-DJFYJP3YA53根据光耦的导通特性，该电路的零点指示滞后实际交流电发生的零点。滞后时间可以根据光耦的导通电流计算，NEC2501的典型值是10ma，实际上，当前向电流达到1ma的时候光耦一般就已经导通了。现以1ma电流计算，电阻3×47k=141k,则电压为141V，相应的滞后零点时间约为1.5ms。设0.5ma导通则电压为70V，则滞后时间为722us。光耦导通时间较长，即光耦电流由0变为导通电流这个渐变过程较长，导致光耦特性边缘时间差异明显，产品一致性差。